Новости

TSMC начал работу над 2 нм процессорами

TSMC является лидером, когда дело доходит до производства кремния. Говорят, что тайваньский производитель процессоров возглавляет модернизированный 2-нм процесс, основанный на GAA-FET. Согласно последнему отчету, к 2023 году ожидается массовое производство. Стоит напомнить, что TSMC держит лидерские позиции в отрасли SoC, основанных на 5-нм и 3-нм техпроцессе.

Отчеты из Китая показывают, что TSMC выберет GAA-FET и откажется от более старого процесса Fin-FET. Хотя TSMC пока не комментирует это официально, согласно отчету, скорее всего мы это услышим на следующем ежегодном техническом форуме.

Если вдруг вам неизвестно, 2 нм — это термин, используемый для обозначения расстояния между каждым транзистором на чипе. Меньшее расстояние приведет к эффективному потреблению энергии.

Говоря о GAA-FET и Fin-FET, они обозначают модели полевого транзистора Gate-all-round и Fin. GAA-FET имеет конструкцию, аналогичную Fin-FET, но в первом случае применяется техпроцесс, основанный на горизонтальном расположении с круговым затвором, тогда, когда второй имеет вертикальное расположение каналов. В новом техпроцессе затвор полностью окружает канал, что предотвращает утечки тока, свойственные для Fin-FET. Как результат, это позволяет решить проблемы с рассеиванием тепла и снизить энергопотребление.

Еще в прошлом году компания официально анонсировала первые в мире центры исследований и разработок в Синьчжу, Тайвань, для 2-нм техпроцесса. Согласно более ранним сообщениям, компания уже начала массовое производство 5 нм, в то время как 3 нм техпроцесс все еще дорабатывается.

Конкурент TSMC, Samsung, объявил, что он также будет использовать GAA-FET, пропустив 4 нм техпроцесс и перейдет сразу к 3 нм, чтобы составить конкуренцию TSMC.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Geek Beard Man

Люблю высокие технологии, кино, игры, а также Geek Beard TV!

СОВЕТУЕМ ПРОЧЕСТЬ

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Back to top button

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: